| 型号： | NTD4979N-35G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| NTD4979N-35G PDF |  |
| 标准包装 | 75 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 837pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.38W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 包装 | 管件 |